Активное развитие печатной электроники и солнечных элементов обусловило интерес к получению наноразмерных оксидных полупроводников системы In-Ga-Zn-O. В настоящее время разработано множество методов получения оксидных наноматериалов (химическое осаждение из раствора, сжигание геля и т.д.), относительно новым из которых является синтез в обратных мицеллах. Данное исследование посвящено синтезу чистых оксидов In2O3, Ga2O3, ZnO химическим осаждением из раствора, сжиганием геля и в обратных мицеллах. Описан фазовый состав и морфология полученных оксидов, а также определён средний размер их частиц по величине области когерентного рассеяния, данных сканирующей электронной микроскопии, удельной поверхности и динамическому светорассеянию суспензий синтезированных порошков. Показано, что метод синтеза в обратных мицеллах позволяет получить наиболее мелкие порошки оксидов.