Смачивающий режим роста полупроводниковых нитевидных нанокристаллов: устойчивость и форма капли

Standard

Смачивающий режим роста полупроводниковых нитевидных нанокристаллов: устойчивость и форма капли. / Сибирев, Н.В.; Назаренко, М.В.; Дубровский, В.Г.

In: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ", Vol. 38, No. 5, 2012, p. 41-48.

Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

BibTeX

@article{80fca9a9027446bd8572a34bb5a0dc8c,

title = "Смачивающий режим роста полупроводниковых нитевидных нанокристаллов: устойчивость и форма капли",

abstract = "Проведено теоретическое исследование нового, смачивающего режима роста нитевидных нанокристаллов (ННК) по механизму {"}пар-жидкость-кристалл{"} (ПЖК), в котором капля катализатора обволакивает вершину ННК. Такой режим может осуществляться при достаточно низких поверхностных энергиях капли, например при автокаталитическом росте GaAs ННК из Ga капель. Исходя из условия механического баланса поверхностных сил, а также на основе минимизации функционала поверхностной энергии определена форма капли в смачивающей конфигурации. Показано, что капля имеет форму сферического сегмента на вершине, сшитого с ондулоидом, окружающим боковую поверхность ННК. Обсуждается влияние конфигурации капли на кристаллическую структуру автокаталитических GaAs ННК. Показано, что несмачивающий режим характерен для малых, а смачивающий --- для больших начальных объемов капли.",

author = "Н.В. Сибирев and М.В. Назаренко and В.Г. Дубровский",

year = "2012",

language = "русский",

volume = "38",

pages = "41--48",

journal = "ПИСЬМА В {"}ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ{"}",

issn = "0320-0116",

publisher = "ФТИ им.Иоффе",

number = "5",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Смачивающий режим роста полупроводниковых нитевидных нанокристаллов: устойчивость и форма капли

AU - Сибирев, Н.В.

AU - Назаренко, М.В.

AU - Дубровский, В.Г.

PY - 2012

Y1 - 2012

N2 - Проведено теоретическое исследование нового, смачивающего режима роста нитевидных нанокристаллов (ННК) по механизму "пар-жидкость-кристалл" (ПЖК), в котором капля катализатора обволакивает вершину ННК. Такой режим может осуществляться при достаточно низких поверхностных энергиях капли, например при автокаталитическом росте GaAs ННК из Ga капель. Исходя из условия механического баланса поверхностных сил, а также на основе минимизации функционала поверхностной энергии определена форма капли в смачивающей конфигурации. Показано, что капля имеет форму сферического сегмента на вершине, сшитого с ондулоидом, окружающим боковую поверхность ННК. Обсуждается влияние конфигурации капли на кристаллическую структуру автокаталитических GaAs ННК. Показано, что несмачивающий режим характерен для малых, а смачивающий --- для больших начальных объемов капли.

AB - Проведено теоретическое исследование нового, смачивающего режима роста нитевидных нанокристаллов (ННК) по механизму "пар-жидкость-кристалл" (ПЖК), в котором капля катализатора обволакивает вершину ННК. Такой режим может осуществляться при достаточно низких поверхностных энергиях капли, например при автокаталитическом росте GaAs ННК из Ga капель. Исходя из условия механического баланса поверхностных сил, а также на основе минимизации функционала поверхностной энергии определена форма капли в смачивающей конфигурации. Показано, что капля имеет форму сферического сегмента на вершине, сшитого с ондулоидом, окружающим боковую поверхность ННК. Обсуждается влияние конфигурации капли на кристаллическую структуру автокаталитических GaAs ННК. Показано, что несмачивающий режим характерен для малых, а смачивающий --- для больших начальных объемов капли.

UR - http://journals.ioffe.ru/articles/12659

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=20327811

M3 - статья

VL - 38

SP - 41

EP - 48

JO - ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ"

JF - ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ"

SN - 0320-0116

IS - 5

ER -

ID: 5409681