Standard

Магнитные эффекты в электронной структуре новых квантовых материалов. / Шикин, Александр Михайлович; Рыбкина, Анна Алексеевна; Естюнин, Дмитрий Алексеевич; Глазкова, Дарья Алексеевна; Тарасов, Артем Вячеславович; Усачев, Дмитрий Юрьевич; Рыбкин, Артем Геннадиевич.

Квантовые структуры для посткремниевой электроники. . Новосибирск : Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, 2023.

Research output: Chapter in Book/Report/Conference proceedingChapterResearchpeer-review

Harvard

APA

Vancouver

Шикин АМ, Рыбкина АА, Естюнин ДА, Глазкова ДА, Тарасов АВ, Усачев ДЮ et al. Магнитные эффекты в электронной структуре новых квантовых материалов. In Квантовые структуры для посткремниевой электроники. . Новосибирск: Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН. 2023

Author

BibTeX

@inbook{e05efa978ab54503acbdf6dbae422cd4,
title = "Магнитные эффекты в электронной структуре новых квантовых материалов",
abstract = "В настоящем издании представлены наиболее значимые научные результаты выполнения крупного научного проекта «Квантовые структуры для посткремниевой электроники» за 2020-2022 гг., поддержанного грантом Минобрнауки России по приоритетным направлениям научно-технологического развития РФ. Результаты отражают актуальные проблемы современной физики полупроводников для создания технологического и научного базиса электроники будущего.Книга может быть полезна специалистам в области физики конденсированных сред, физики полупроводников и диэлектриков, физики и технологии низкоразмерных систем для опто- и наноэлектроники, твердотельной нанофотоники, наноплазмоники, сенсорики, квантовой электроники, спинтроники, лазерной и квантовой информатики.",
author = "Шикин, {Александр Михайлович} and Рыбкина, {Анна Алексеевна} and Естюнин, {Дмитрий Алексеевич} and Глазкова, {Дарья Алексеевна} and Тарасов, {Артем Вячеславович} and Усачев, {Дмитрий Юрьевич} and Рыбкин, {Артем Геннадиевич}",
note = "А 437 Квантовые структуры для посткремниевой электроники / Минобрнауки России; Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН. - Новосибирск, Параллель, 2023. – 224 с.",
year = "2023",
month = jan,
day = "20",
language = "русский",
isbn = "978-5-98901-273-2",
booktitle = "Квантовые структуры для посткремниевой электроники.",
publisher = "Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН",
address = "Российская Федерация",

}

RIS

TY - CHAP

T1 - Магнитные эффекты в электронной структуре новых квантовых материалов

AU - Шикин, Александр Михайлович

AU - Рыбкина, Анна Алексеевна

AU - Естюнин, Дмитрий Алексеевич

AU - Глазкова, Дарья Алексеевна

AU - Тарасов, Артем Вячеславович

AU - Усачев, Дмитрий Юрьевич

AU - Рыбкин, Артем Геннадиевич

N1 - А 437 Квантовые структуры для посткремниевой электроники / Минобрнауки России; Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН. - Новосибирск, Параллель, 2023. – 224 с.

PY - 2023/1/20

Y1 - 2023/1/20

N2 - В настоящем издании представлены наиболее значимые научные результаты выполнения крупного научного проекта «Квантовые структуры для посткремниевой электроники» за 2020-2022 гг., поддержанного грантом Минобрнауки России по приоритетным направлениям научно-технологического развития РФ. Результаты отражают актуальные проблемы современной физики полупроводников для создания технологического и научного базиса электроники будущего.Книга может быть полезна специалистам в области физики конденсированных сред, физики полупроводников и диэлектриков, физики и технологии низкоразмерных систем для опто- и наноэлектроники, твердотельной нанофотоники, наноплазмоники, сенсорики, квантовой электроники, спинтроники, лазерной и квантовой информатики.

AB - В настоящем издании представлены наиболее значимые научные результаты выполнения крупного научного проекта «Квантовые структуры для посткремниевой электроники» за 2020-2022 гг., поддержанного грантом Минобрнауки России по приоритетным направлениям научно-технологического развития РФ. Результаты отражают актуальные проблемы современной физики полупроводников для создания технологического и научного базиса электроники будущего.Книга может быть полезна специалистам в области физики конденсированных сред, физики полупроводников и диэлектриков, физики и технологии низкоразмерных систем для опто- и наноэлектроники, твердотельной нанофотоники, наноплазмоники, сенсорики, квантовой электроники, спинтроники, лазерной и квантовой информатики.

M3 - глава/раздел

SN - 978-5-98901-273-2

BT - Квантовые структуры для посткремниевой электроники.

PB - Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН

CY - Новосибирск

ER -

ID: 114367962