Standard

Синтез замещенного оловом оксида индия-галлия-цинка при низких температурах. / Зирник, Г.м.; Созыкин, С.а.; Ковалев, А.и.; Шерстюк, Д.п.; Чернуха, А.с.; Солизода, И.a.; Болейко, Г.м.; Гудкова, С.а.; Винник, Д.а.

In: ЖУРНАЛ СТРУКТУРНОЙ ХИМИИ, Vol. 66, No. 9, 152368, 01.01.2025.

Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

Harvard

Зирник, ГМ, Созыкин, СА, Ковалев, АИ, Шерстюк, ДП, Чернуха, АС, Солизода, ИA, Болейко, ГМ, Гудкова, СА & Винник, ДА 2025, 'Синтез замещенного оловом оксида индия-галлия-цинка при низких температурах', ЖУРНАЛ СТРУКТУРНОЙ ХИМИИ, vol. 66, no. 9, 152368. https://doi.org/10.26902/jsc_id152368

APA

Зирник, Г. М., Созыкин, С. А., Ковалев, А. И., Шерстюк, Д. П., Чернуха, А. С., Солизода, И. A., Болейко, Г. М., Гудкова, С. А., & Винник, Д. А. (2025). Синтез замещенного оловом оксида индия-галлия-цинка при низких температурах. ЖУРНАЛ СТРУКТУРНОЙ ХИМИИ, 66(9), [152368]. https://doi.org/10.26902/jsc_id152368

Vancouver

Зирник ГМ, Созыкин СА, Ковалев АИ, Шерстюк ДП, Чернуха АС, Солизода ИA et al. Синтез замещенного оловом оксида индия-галлия-цинка при низких температурах. ЖУРНАЛ СТРУКТУРНОЙ ХИМИИ. 2025 Jan 1;66(9). 152368. https://doi.org/10.26902/jsc_id152368

Author

Зирник, Г.м. ; Созыкин, С.а. ; Ковалев, А.и. ; Шерстюк, Д.п. ; Чернуха, А.с. ; Солизода, И.a. ; Болейко, Г.м. ; Гудкова, С.а. ; Винник, Д.а. / Синтез замещенного оловом оксида индия-галлия-цинка при низких температурах. In: ЖУРНАЛ СТРУКТУРНОЙ ХИМИИ. 2025 ; Vol. 66, No. 9.

BibTeX

@article{71bfad8050f8474b88a9c1e1ba42f09e,
title = "Синтез замещенного оловом оксида индия-галлия-цинка при низких температурах",
abstract = "Благодаря уникальным электронным и оптическим свойствам тройной оксид индия-галлия-цинка (IGZO) находит применение в гибкой и прозрачной электронике, в частности, в тонкопленочных транзисторах. Физические свойства IGZO зависят от условий синтеза и соотношения входящих в него основных компонентов (индия, галлия, цинка и кислорода) и различных легирующих добавок. В работе описана методика синтеза образцов линейки состава In1-2хGaSnхZn1+хO4 (при х = 0.05; 0.10; 0.15) методом горения нитратно-органического геля. Данный подход позволяет проводить синтез за меньшее время и при более низких температурах по сравнению с альтернативными методами, описанными в литературе. Исследование полученных образцов проводилось методами рентгенофазового анализа, сканирующей электронной микроскопии и энергодисперсионной спектроскопии. Была доказана гомогенность полученных образцов при x = 0.05 и 0.10.",
author = "Г.м. Зирник and С.а. Созыкин and А.и. Ковалев and Д.п. Шерстюк and А.с. Чернуха and И.a. Солизода and Г.м. Болейко and С.а. Гудкова and Д.а. Винник",
year = "2025",
month = jan,
day = "1",
doi = "10.26902/jsc_id152368",
language = "русский",
volume = "66",
journal = "ЖУРНАЛ СТРУКТУРНОЙ ХИМИИ",
issn = "0136-7463",
publisher = "ИНХ СО РАН",
number = "9",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Синтез замещенного оловом оксида индия-галлия-цинка при низких температурах

AU - Зирник, Г.м.

AU - Созыкин, С.а.

AU - Ковалев, А.и.

AU - Шерстюк, Д.п.

AU - Чернуха, А.с.

AU - Солизода, И.a.

AU - Болейко, Г.м.

AU - Гудкова, С.а.

AU - Винник, Д.а.

PY - 2025/1/1

Y1 - 2025/1/1

N2 - Благодаря уникальным электронным и оптическим свойствам тройной оксид индия-галлия-цинка (IGZO) находит применение в гибкой и прозрачной электронике, в частности, в тонкопленочных транзисторах. Физические свойства IGZO зависят от условий синтеза и соотношения входящих в него основных компонентов (индия, галлия, цинка и кислорода) и различных легирующих добавок. В работе описана методика синтеза образцов линейки состава In1-2хGaSnхZn1+хO4 (при х = 0.05; 0.10; 0.15) методом горения нитратно-органического геля. Данный подход позволяет проводить синтез за меньшее время и при более низких температурах по сравнению с альтернативными методами, описанными в литературе. Исследование полученных образцов проводилось методами рентгенофазового анализа, сканирующей электронной микроскопии и энергодисперсионной спектроскопии. Была доказана гомогенность полученных образцов при x = 0.05 и 0.10.

AB - Благодаря уникальным электронным и оптическим свойствам тройной оксид индия-галлия-цинка (IGZO) находит применение в гибкой и прозрачной электронике, в частности, в тонкопленочных транзисторах. Физические свойства IGZO зависят от условий синтеза и соотношения входящих в него основных компонентов (индия, галлия, цинка и кислорода) и различных легирующих добавок. В работе описана методика синтеза образцов линейки состава In1-2хGaSnхZn1+хO4 (при х = 0.05; 0.10; 0.15) методом горения нитратно-органического геля. Данный подход позволяет проводить синтез за меньшее время и при более низких температурах по сравнению с альтернативными методами, описанными в литературе. Исследование полученных образцов проводилось методами рентгенофазового анализа, сканирующей электронной микроскопии и энергодисперсионной спектроскопии. Была доказана гомогенность полученных образцов при x = 0.05 и 0.10.

UR - https://www.mendeley.com/catalogue/dd9ccb92-9162-37d2-9268-98aefd063223/

U2 - 10.26902/jsc_id152368

DO - 10.26902/jsc_id152368

M3 - статья

VL - 66

JO - ЖУРНАЛ СТРУКТУРНОЙ ХИМИИ

JF - ЖУРНАЛ СТРУКТУРНОЙ ХИМИИ

SN - 0136-7463

IS - 9

M1 - 152368

ER -

ID: 144993454