В работе представлен результат твердофазного синтеза полупроводникового оксида InGaZn2O5, проведен фазовый, структурный и морфологический анализ. Для исследования использованы методы рентгеновской дифракции, полнопрофильного анализа дифрактограмм, сканирующей электронной микроскопии, а также энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии, инфракрасной спектроскопии и Рамановской спектроскопии. Показано, что исследуемый состав соответствует структуре InGaZn2O5, с пространственной группой P63/mmc, приведены структурные параметры. Морфология образца, полученного в приведенных условиях, характеризуется полидисперсностью, агломератами, отсутствием выраженной огранки кристаллитов. Впервые приведены инфракрасные и Рамановские спектры состава InGaZn2O5.