Standard

Способ определения концентрации легирующей примеси в полупроводниках. / Грохотков, И.Н.; Яфясов, А.М.; Филатова, Е.О.; Божевольнов, В.Б.

Издательский Центр «Академия», 2010.

Research output: Book/Report/Anthology › Anthology › peer-review

Harvard

Грохотков, ИН, Яфясов, АМ, Филатова, ЕО & Божевольнов, ВБ 2010, Способ определения концентрации легирующей примеси в полупроводниках. Издательский Центр «Академия».

APA

Грохотков, И. Н., Яфясов, А. М., Филатова, Е. О., & Божевольнов, В. Б. (2010). Способ определения концентрации легирующей примеси в полупроводниках. Издательский Центр «Академия».

Vancouver

Грохотков ИН, Яфясов АМ, Филатова ЕО, Божевольнов ВБ. Способ определения концентрации легирующей примеси в полупроводниках. Издательский Центр «Академия», 2010.

Author

Грохотков, И.Н. ; Яфясов, А.М. ; Филатова, Е.О. ; Божевольнов, В.Б. / Способ определения концентрации легирующей примеси в полупроводниках. Издательский Центр «Академия», 2010.

BibTeX

@book{a99832c5165746aa83f3321ea9d5eb8b,
title = "Способ определения концентрации легирующей примеси в полупроводниках.",
author = "И.Н. Грохотков and А.М. Яфясов and Е.О. Филатова and В.Б. Божевольнов",
year = "2010",
language = "русский",
publisher = "Издательский Центр «Академия»",
address = "Российская Федерация",

}

RIS

TY - BOOK

T1 - Способ определения концентрации легирующей примеси в полупроводниках.

AU - Грохотков, И.Н.

AU - Яфясов, А.М.

AU - Филатова, Е.О.

AU - Божевольнов, В.Б.

PY - 2010

Y1 - 2010

M3 - сборник

BT - Способ определения концентрации легирующей примеси в полупроводниках.

PB - Издательский Центр «Академия»

ER -

ID: 4310818