TY - PAT

T1 - Способ получения графена в условиях низких температур

AU - Жижин, Евгений Владимирович

AU - Пудиков, Дмитрий Александрович

PY - 2019/6/28

Y1 - 2019/6/28

N2 - Способ получения относится к области наноэлектроники и спинтроники и может быть использован для среднесерийного производства графен-содержащих логических компонентов приборов наноэлектроники, композитных материалов для автомобильной промышленности, биомедицины, аэрокосмического сектора. Способ получения графена при низких температурах состоит из четырех этапов. На первом этапе исходная подложка высокоориентированного пиролитического графита очищается от посторонних загрязнений в условиях сверхвысокого вакуума, на втором этапе при тех же вакуумных условиях наносится каталитический слой переходного металла VIII группы 4-го периода определенной толщины. За счет выбора определенных параметров синтеза (температура отжига, время отжига, толщина каталитического слоя переходного металла VIII группы 4-го периода) на заключительном этапе формируется однослойный графен. Электронная структура графена, сформированного данным способом, идентична графену, полученному другими способами (например, методом каталитической реакции крекинга углеродосодержащих газов на поверхности монокристаллических слоев или методом CVD), однако, на микромасштабе число разноориентированных доменов графена увеличивается из-за особенности кристаллической структуры базовой подложки. Уменьшение числа разнонаправленных доменов графена на микромасштабе на базовой подложке высокоориентированного пиролитического графита было достигнуто за счет использования каталитического слоя Co. Рентабельность получения графена данным способом значительно повышается по сравнению со способами получения графена на монокристаллических слоях за счет двукратного снижения температуры производства, упрощения технологического процесса производства, снижения себестоимости базовой подложки (графита) для производства по сравнению с монокристаллическими слоями металлов.

AB - Способ получения относится к области наноэлектроники и спинтроники и может быть использован для среднесерийного производства графен-содержащих логических компонентов приборов наноэлектроники, композитных материалов для автомобильной промышленности, биомедицины, аэрокосмического сектора. Способ получения графена при низких температурах состоит из четырех этапов. На первом этапе исходная подложка высокоориентированного пиролитического графита очищается от посторонних загрязнений в условиях сверхвысокого вакуума, на втором этапе при тех же вакуумных условиях наносится каталитический слой переходного металла VIII группы 4-го периода определенной толщины. За счет выбора определенных параметров синтеза (температура отжига, время отжига, толщина каталитического слоя переходного металла VIII группы 4-го периода) на заключительном этапе формируется однослойный графен. Электронная структура графена, сформированного данным способом, идентична графену, полученному другими способами (например, методом каталитической реакции крекинга углеродосодержащих газов на поверхности монокристаллических слоев или методом CVD), однако, на микромасштабе число разноориентированных доменов графена увеличивается из-за особенности кристаллической структуры базовой подложки. Уменьшение числа разнонаправленных доменов графена на микромасштабе на базовой подложке высокоориентированного пиролитического графита было достигнуто за счет использования каталитического слоя Co. Рентабельность получения графена данным способом значительно повышается по сравнению со способами получения графена на монокристаллических слоях за счет двукратного снижения температуры производства, упрощения технологического процесса производства, снижения себестоимости базовой подложки (графита) для производства по сравнению с монокристаллическими слоями металлов.

M3 - патент

M1 - 032543

Y2 - 2017/12/21

PB - Евразийское патентное ведомство

ER -