Исследованы фотоэлектронные свойства сэндвичных структур, содержащих гетеропереходы органический полупроводник-кремний: PTCDA-Si; CuPc-Si; OPV-Si. Измерены вольт-амперные характеристики и спектральные зависимости фотопроводимости и фотопотенциала. Фоточувствительность обнаружена как в области поглощения кремния, так и органических пленок. Наибольшая величина фотопотенциала (до 0.25 V) зарегистрирована на гетеропереходе PTCDA-Si. На гетеропереходе OPV-Si обнаружен эффект изменения знака фотопотенциала при облучении в разных частях оптического диапазона.