Способ получения пластины монокристалла нитрида галлия. / Буравлев, Алексей Дмитриевич (Inventor); Кукушкин, Сергей Арсеньевич (Inventor); Осипов, Андрей Викторович (Inventor); Лукьянов, Андрей Витальевич (Inventor); Тимошнев, Сергей Николаевич (Inventor); Шарофидинов, Шукрилло Шамсидинович (Inventor).
Patent No.: RU 2683103. Jun 06, 2018.Research output: Patenting and IP registration › Patent
}
TY - PAT
T1 - Способ получения пластины монокристалла нитрида галлия.
AU - Буравлев, Алексей Дмитриевич
AU - Кукушкин, Сергей Арсеньевич
AU - Осипов, Андрей Викторович
AU - Лукьянов, Андрей Витальевич
AU - Тимошнев, Сергей Николаевич
AU - Шарофидинов, Шукрилло Шамсидинович
PY - 2018/6/6
Y1 - 2018/6/6
N2 - Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов, а именно к получению пластин монокристалла широкозонного нитрида галлия (GaN) с гексагональной кристаллической решеткой. Способ получения пластины монокристалла нитрида галлия характеризуется поэтапным формированием слоистой структуры: на первом этапе на подложке Si (111) формируют слой SiC методом замещения атомов с образованием углерод-вакансионных структур, на втором этапе на полученном слое SiC формируют слой GaN N-полярности методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота, на третьем этапе на слое GaN N-полярности формируют слой AlN Al-полярности методом хлорид-гидридной эпитаксии, на четвертом этапе на слое AlN Al-полярности формируют слой GaN Ga-полярности методом хлорид-гидридной эпитаксии, после чего полученную слоистую структуру выдерживают в щелочном травильном растворе до отделения от нее верхнего слоя GaN Ga-полярности. Достигаемый технический результат - высокое кристаллическое совершенс
AB - Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов, а именно к получению пластин монокристалла широкозонного нитрида галлия (GaN) с гексагональной кристаллической решеткой. Способ получения пластины монокристалла нитрида галлия характеризуется поэтапным формированием слоистой структуры: на первом этапе на подложке Si (111) формируют слой SiC методом замещения атомов с образованием углерод-вакансионных структур, на втором этапе на полученном слое SiC формируют слой GaN N-полярности методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота, на третьем этапе на слое GaN N-полярности формируют слой AlN Al-полярности методом хлорид-гидридной эпитаксии, на четвертом этапе на слое AlN Al-полярности формируют слой GaN Ga-полярности методом хлорид-гидридной эпитаксии, после чего полученную слоистую структуру выдерживают в щелочном травильном растворе до отделения от нее верхнего слоя GaN Ga-полярности. Достигаемый технический результат - высокое кристаллическое совершенс
M3 - патент
M1 - RU 2683103
ER -
ID: 78517267