Standard

РЕКОНСТРУКЦИЯ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛЕВОГО ЭЛЕКТРОННОГО ЭМИТТЕРА. / Никифоров, К. А.; Егоров, Н. В.; Чэ-Чоу, Шен.

In: ПОВЕРХНОСТЬ. РЕНТГЕНОВСКИЕ, СИНХРОТРОННЫЕ И НЕЙТРОННЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ, No. 10, 2009, p. 100-106.

Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

Harvard

Никифоров, КА, Егоров, НВ & Чэ-Чоу, Ш 2009, 'РЕКОНСТРУКЦИЯ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛЕВОГО ЭЛЕКТРОННОГО ЭМИТТЕРА', ПОВЕРХНОСТЬ. РЕНТГЕНОВСКИЕ, СИНХРОТРОННЫЕ И НЕЙТРОННЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ, no. 10, pp. 100-106. https://doi.org/DOI: 10.1134/S0207352809100163

APA

Никифоров, К. А., Егоров, Н. В., & Чэ-Чоу, Ш. (2009). РЕКОНСТРУКЦИЯ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛЕВОГО ЭЛЕКТРОННОГО ЭМИТТЕРА. ПОВЕРХНОСТЬ. РЕНТГЕНОВСКИЕ, СИНХРОТРОННЫЕ И НЕЙТРОННЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ, (10), 100-106. https://doi.org/DOI: 10.1134/S0207352809100163

Vancouver

Никифоров КА, Егоров НВ, Чэ-Чоу Ш. РЕКОНСТРУКЦИЯ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛЕВОГО ЭЛЕКТРОННОГО ЭМИТТЕРА. ПОВЕРХНОСТЬ. РЕНТГЕНОВСКИЕ, СИНХРОТРОННЫЕ И НЕЙТРОННЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ. 2009;(10):100-106. https://doi.org/DOI: 10.1134/S0207352809100163

Author

Никифоров, К. А. ; Егоров, Н. В. ; Чэ-Чоу, Шен. / РЕКОНСТРУКЦИЯ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛЕВОГО ЭЛЕКТРОННОГО ЭМИТТЕРА. In: ПОВЕРХНОСТЬ. РЕНТГЕНОВСКИЕ, СИНХРОТРОННЫЕ И НЕЙТРОННЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ. 2009 ; No. 10. pp. 100-106.

BibTeX

@article{ba27349f8f414a57bfff4e0b133a0151,
title = "РЕКОНСТРУКЦИЯ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛЕВОГО ЭЛЕКТРОННОГО ЭМИТТЕРА",
abstract = "Моделируются поверхность и эмиссионные изображения полевого электронного металлического катода в форме острия. Структура поверхности рассчитывается в рамках модели “тонкой оболочки” и модели “оборванных связей” – “локального атомного окружения” для идеальной кристаллической решетки. Форма катода и макроскопическое электрическое поле представляются моделью “сфера на конусе”. Коэффициент усиления локального электрического поля является подгоночным параметром модели. Предложен метод определения кристаллографических граней вершины эмиттера, основанный на анализе геометрического окружения атомов поверхности. Показано, что для эмиттера радиусом 100–1000 параметров решетки (31.6–316 нм для вольфрама) достаточно ограничиться пятым порядком ближайших соседей в рассмотрении геометрического окружения. Используется кристаллографическая модель анизотропии работы выхода в подходе “оборванных связей”: участку поверхности приписывается значение работы выхода в соответствии с индексами Миллера грани, содержащей",
author = "Никифоров, {К. А.} and Егоров, {Н. В.} and Шен Чэ-Чоу",
year = "2009",
doi = "DOI: 10.1134/S0207352809100163",
language = "русский",
pages = "100--106",
journal = "ПОВЕРХНОСТЬ. РЕНТГЕНОВСКИЕ, СИНХРОТРОННЫЕ И НЕЙТРОННЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ",
issn = "1027-4510",
publisher = "МАИК {"}Наука/Интерпериодика{"}",
number = "10",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - РЕКОНСТРУКЦИЯ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛЕВОГО ЭЛЕКТРОННОГО ЭМИТТЕРА

AU - Никифоров, К. А.

AU - Егоров, Н. В.

AU - Чэ-Чоу, Шен

PY - 2009

Y1 - 2009

N2 - Моделируются поверхность и эмиссионные изображения полевого электронного металлического катода в форме острия. Структура поверхности рассчитывается в рамках модели “тонкой оболочки” и модели “оборванных связей” – “локального атомного окружения” для идеальной кристаллической решетки. Форма катода и макроскопическое электрическое поле представляются моделью “сфера на конусе”. Коэффициент усиления локального электрического поля является подгоночным параметром модели. Предложен метод определения кристаллографических граней вершины эмиттера, основанный на анализе геометрического окружения атомов поверхности. Показано, что для эмиттера радиусом 100–1000 параметров решетки (31.6–316 нм для вольфрама) достаточно ограничиться пятым порядком ближайших соседей в рассмотрении геометрического окружения. Используется кристаллографическая модель анизотропии работы выхода в подходе “оборванных связей”: участку поверхности приписывается значение работы выхода в соответствии с индексами Миллера грани, содержащей

AB - Моделируются поверхность и эмиссионные изображения полевого электронного металлического катода в форме острия. Структура поверхности рассчитывается в рамках модели “тонкой оболочки” и модели “оборванных связей” – “локального атомного окружения” для идеальной кристаллической решетки. Форма катода и макроскопическое электрическое поле представляются моделью “сфера на конусе”. Коэффициент усиления локального электрического поля является подгоночным параметром модели. Предложен метод определения кристаллографических граней вершины эмиттера, основанный на анализе геометрического окружения атомов поверхности. Показано, что для эмиттера радиусом 100–1000 параметров решетки (31.6–316 нм для вольфрама) достаточно ограничиться пятым порядком ближайших соседей в рассмотрении геометрического окружения. Используется кристаллографическая модель анизотропии работы выхода в подходе “оборванных связей”: участку поверхности приписывается значение работы выхода в соответствии с индексами Миллера грани, содержащей

U2 - DOI: 10.1134/S0207352809100163

DO - DOI: 10.1134/S0207352809100163

M3 - статья

SP - 100

EP - 106

JO - ПОВЕРХНОСТЬ. РЕНТГЕНОВСКИЕ, СИНХРОТРОННЫЕ И НЕЙТРОННЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ

JF - ПОВЕРХНОСТЬ. РЕНТГЕНОВСКИЕ, СИНХРОТРОННЫЕ И НЕЙТРОННЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ

SN - 1027-4510

IS - 10

ER -

ID: 5090043