Standard

Кинетика роста планарных нитевидных нанокристаллов. / Дубровский, Владимир Германович; Штром, Игорь Викторович.

In: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ", No. 20, 2020, p. 15-18.

Research output: Contribution to journalArticlepeer-review

Harvard

APA

Vancouver

Author

BibTeX

@article{751adeaa00304ebd888cf810d037f892,
title = "Кинетика роста планарных нитевидных нанокристаллов",
abstract = "Получено приближенное аналитическое уравнение, описывающее закон удлинения полупроводниковых нитевидных нанокристаллов, растущих по механизму пар-жидкость-кристалл в плоскости подложки. Проведен теоретический анализ различных режимов роста в зависимости от радиуса нитевидного нанокристалла R и условий эпитаксиального осаждения. Показано, что скорость роста планарных нитевидных нанокристаллов может лимитироваться либо эффектом Гиббса-Томсона (при малых размерах капли катализатора), либо диффузией адатомов с поверхности подложки (при увеличении радиуса кристалла). Зависимость диффузионно-лимитированной скорости роста от R имеет вид R-m, где степенной показатель принимает значения 1, 3/2 или 2 в зависимости от характера поверхностной диффузии. ",
author = "Дубровский, {Владимир Германович} and Штром, {Игорь Викторович}",
year = "2020",
language = "русский",
pages = "15--18",
journal = "ПИСЬМА В {"}ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ{"}",
issn = "0320-0116",
publisher = "ФТИ им.Иоффе",
number = "20",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Кинетика роста планарных нитевидных нанокристаллов

AU - Дубровский, Владимир Германович

AU - Штром, Игорь Викторович

PY - 2020

Y1 - 2020

N2 - Получено приближенное аналитическое уравнение, описывающее закон удлинения полупроводниковых нитевидных нанокристаллов, растущих по механизму пар-жидкость-кристалл в плоскости подложки. Проведен теоретический анализ различных режимов роста в зависимости от радиуса нитевидного нанокристалла R и условий эпитаксиального осаждения. Показано, что скорость роста планарных нитевидных нанокристаллов может лимитироваться либо эффектом Гиббса-Томсона (при малых размерах капли катализатора), либо диффузией адатомов с поверхности подложки (при увеличении радиуса кристалла). Зависимость диффузионно-лимитированной скорости роста от R имеет вид R-m, где степенной показатель принимает значения 1, 3/2 или 2 в зависимости от характера поверхностной диффузии.

AB - Получено приближенное аналитическое уравнение, описывающее закон удлинения полупроводниковых нитевидных нанокристаллов, растущих по механизму пар-жидкость-кристалл в плоскости подложки. Проведен теоретический анализ различных режимов роста в зависимости от радиуса нитевидного нанокристалла R и условий эпитаксиального осаждения. Показано, что скорость роста планарных нитевидных нанокристаллов может лимитироваться либо эффектом Гиббса-Томсона (при малых размерах капли катализатора), либо диффузией адатомов с поверхности подложки (при увеличении радиуса кристалла). Зависимость диффузионно-лимитированной скорости роста от R имеет вид R-m, где степенной показатель принимает значения 1, 3/2 или 2 в зависимости от характера поверхностной диффузии.

M3 - статья

SP - 15

EP - 18

JO - ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ"

JF - ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ"

SN - 0320-0116

IS - 20

ER -

ID: 70928212