Способ получения монослойного силицена.

Standard

Способ получения монослойного силицена. / Жижин, Евгений Владимирович (Inventor); Пудиков, Дмитрий Александрович (Inventor); Комолов, Алексей Сергеевич (Inventor).

Евразийское патентное ведомство. Patent No.: 040837. Aug 02, 2022.

Research output: Patenting and IP registration › Certificate of registration

Author

Жижин, Евгений Владимирович (Inventor) ; Пудиков, Дмитрий Александрович (Inventor) ; Комолов, Алексей Сергеевич (Inventor). / Способ получения монослойного силицена. Евразийское патентное ведомство. Patent No.: 040837. Aug 02, 2022.

BibTeX

@misc{0a9b32c3b19d405a9d8a2199a032ca90,

title = "Способ получения монослойного силицена.",

abstract = "Изобретение относится к способу получения эпитаксиальных тонкопленочных материалов в вакууме и может быть использовано для производства кремний-содержащих логических компонентов приборов наноэлектроники, композитных материалов для реального сектора экономики. Способ получения монослойного силицена состоит из трех этапов. На первом этапе исходная подложка монокристалла W(110), очищается от посторонних загрязнений в условиях сверхвысокого вакуума, на втором этапе наносится методом молекулярной-лучевой эпитаксии слой Ag(111) толщиной от 5 до 16 нм, на заключительном этапе методом молекулярной-лучевой эпитаксии наносится монослой кремния на нагретую до T=200°С подложку Ag(111)/W(110), и в результате на поверхности формируется однослойный силицен. Улучшение кристаллической структуры монослойного силицена (увеличение размеров отдельных доменов до 100 нм) достигнуто за счет использования в качестве задающего кристаллографическую структуру силицена слоя Ag(111) и определенных параметров для нанесения методом молекулярно-лучевой эпитаксии атомарного кремния (скорость потока VSi= от 0.01 до 0.02 нм/мин, давление PSi=5×10-10 мбар) на нагретую до T=200°С подложку Ag(111)/W(110).",

keywords = "Силицен",

author = "Жижин, {Евгений Владимирович} and Пудиков, {Дмитрий Александрович} and Комолов, {Алексей Сергеевич}",

year = "2022",

month = aug,

day = "2",

language = "русский",

publisher = "Евразийское патентное ведомство",

address = "Международная организация",

type = "Patent",

note = "040837; B82B 3/00 (2006.01),C30B 23/02 (2006.01),C30B 23/06 (2006.01) ,H01L 21/20 (2006.01)",

}

RIS

TY - PAT

T1 - Способ получения монослойного силицена.

AU - Жижин, Евгений Владимирович

AU - Пудиков, Дмитрий Александрович

AU - Комолов, Алексей Сергеевич

PY - 2022/8/2

Y1 - 2022/8/2

N2 - Изобретение относится к способу получения эпитаксиальных тонкопленочных материалов в вакууме и может быть использовано для производства кремний-содержащих логических компонентов приборов наноэлектроники, композитных материалов для реального сектора экономики. Способ получения монослойного силицена состоит из трех этапов. На первом этапе исходная подложка монокристалла W(110), очищается от посторонних загрязнений в условиях сверхвысокого вакуума, на втором этапе наносится методом молекулярной-лучевой эпитаксии слой Ag(111) толщиной от 5 до 16 нм, на заключительном этапе методом молекулярной-лучевой эпитаксии наносится монослой кремния на нагретую до T=200°С подложку Ag(111)/W(110), и в результате на поверхности формируется однослойный силицен. Улучшение кристаллической структуры монослойного силицена (увеличение размеров отдельных доменов до 100 нм) достигнуто за счет использования в качестве задающего кристаллографическую структуру силицена слоя Ag(111) и определенных параметров для нанесения методом молекулярно-лучевой эпитаксии атомарного кремния (скорость потока VSi= от 0.01 до 0.02 нм/мин, давление PSi=5×10-10 мбар) на нагретую до T=200°С подложку Ag(111)/W(110).

AB - Изобретение относится к способу получения эпитаксиальных тонкопленочных материалов в вакууме и может быть использовано для производства кремний-содержащих логических компонентов приборов наноэлектроники, композитных материалов для реального сектора экономики. Способ получения монослойного силицена состоит из трех этапов. На первом этапе исходная подложка монокристалла W(110), очищается от посторонних загрязнений в условиях сверхвысокого вакуума, на втором этапе наносится методом молекулярной-лучевой эпитаксии слой Ag(111) толщиной от 5 до 16 нм, на заключительном этапе методом молекулярной-лучевой эпитаксии наносится монослой кремния на нагретую до T=200°С подложку Ag(111)/W(110), и в результате на поверхности формируется однослойный силицен. Улучшение кристаллической структуры монослойного силицена (увеличение размеров отдельных доменов до 100 нм) достигнуто за счет использования в качестве задающего кристаллографическую структуру силицена слоя Ag(111) и определенных параметров для нанесения методом молекулярно-лучевой эпитаксии атомарного кремния (скорость потока VSi= от 0.01 до 0.02 нм/мин, давление PSi=5×10-10 мбар) на нагретую до T=200°С подложку Ag(111)/W(110).

KW - Силицен

M3 - свидетельство о регистрации

M1 - 040837

Y2 - 2021/10/15

PB - Евразийское патентное ведомство

ER -

ID: 98782357