Предметом исследования в проекте являются сегнетоэлектрические TiN/HfO2/TiN многослойные тонкоплёночные системы. Проект направлен на изучение на электронном и атомном уровне физико-химических процессов в объёме FE-HfO2 и на интерфейсах с верхним и нижним электродами TiN, ответственных за формирование сегнетоэлектрических свойств у HfO2 и влияющих на величину остаточной поляризации, в зависимости от концентрации примеси, температуры отжига и толщины активного слоя; а также в изучении динамики изменения объёмных свойств активного слоя и параметров межфазных границ с электродами в зависимости от числа циклов поляризации.