Поставленная в проекте задача - исследование возможности синтеза светоизлучающих гетероструктур на основе InxGa1-xAs квантовых точек на кремнии обладает существенной практической значимостью, поскольку позволит значительно расширить спектр полупроводниковых материалов, могут послужить основой для создания активных приборов нанофотоники в ближей ИК области, например, светоизлучателей и фотоприемников, монолитно интегрированных с приборами кремниевой электроники.

Новизна поставленной задачи обеспечивается:
- все ростовые эксперименты будут осущесвляться методом молекулярно-пучковой эпитаксии в одной ростовой камере, т.е. рост A3B5 и Si структур будет проходить в едином технологическом цикле.
- будет исследовано вопросы, связанные с влиянием рельефа и реконструкции Si(100) поверхности на процессы зародышеобразования A3B5 отровков.
- будут изучены процессы формирования субмонослойных (эффективная толщина осажденного материала 0.1-2 монослоя) A3B5 наносотровков (в первую очередь на основе InAs и InxGa1-xAs, 0<x<0.5) на поверхности кремния с заданной морфологией. При этом впервые будут синтезированы гетероструктуры на основе внедренных в кремний субмонослойных A3B5 КТ и изучены их оптические свойства.
- будут развиты два новых подхода к созданию оптоэлектронных приборных структур на основе A3B5 КТ и кремния и при этом осуществлено их сравнение с точки зрения простоты реализации и достижимых характеристик.