последние годы серьезное внимание исследователей привлекают нелинейные процессы в экситон-поляритонных системах, формирующиеся при относительно слабых накачках в полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми ямами, помещенными в микрорезонатор. На сильной нелинейности этих систем основано создание низкопороговых неинверсионных поляритонных лазеров и источников когерентного терагерцового излучения. Эти же системы рассматриваются как перспективные среды для создания квантовых вычислительных устройств. В основе поляритонной нелинейности лежит, как правило, экситон-экситонное взаимодействие, однако в структурах с микрорезонаторами его проявления существенно осложнены чисто поляритонными эффектами. В структурах без микрорезонатора нелинейные эффекты выражены гораздо слабее, и их проявление существенно маскируется большим неоднородным уширением экситонных линий в большинстве исследуемых гетероструктур. Предлагаемое в настоящем проекте использование высококачественных структур с минимальной величиной неоднородного уширения позволит детально изучить экситонные нелинейности при относительно слабых накачках, что и определяет актуальность этого исследования.