1. 1993
  2. Фотолюминесценция вырожденного электронного газа в слоях GaAs:Si, выращенных методом молекулярной пучковой эпитаксии

    Абрамов, А. П., Абрамова, И. Н., Вербин, С. Ю., Герловин, И. Я., Григорьев, С. Р., Игнатьев, И. В., Каримов, О. З., Новиков, А. Б. & Новиков, Б. В., 1993, In: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. 27, 7, p. 1175-1179

    Research output: Contribution to journalArticlepeer-review

Previous 1...71 72 73 74 75 Next

ID: 30820