X-ray absorption at Si K-edge for novel compounds in the ternary system Si-C-N

P. Kroll, A. Greiner, R. Riedel, S. Bender, R. Franke, J. Hormes, A. A. Pavlychev

Результат исследований: Материалы конференцийматериалы

1 Цитирования (Scopus)

Аннотация

We present results of Si K-edge XANES-investigations for novel Si-C-N containing solid phases prepared by annealing of Si(NCN) 2 at temperatures between room temperature (RT) and 1600 °C. The chemical equivalence of the NCN-group and oxygen as a ligand of silicon is confirmed. The spectra show the presence of an intermediate crystalline phase and its decomposition. Furthermore the recrystallization of a Si 3 N 4 /SiC composite material and its dependence on temperature can be seen.

Язык оригиналаанглийский
Страницы225-229
Число страниц5
СостояниеОпубликовано - 1 дек 1996
СобытиеProceedings of the 1996 MRS Spring Meeting - Boston, MA, USA
Продолжительность: 8 апр 199612 апр 1996

конференция

конференцияProceedings of the 1996 MRS Spring Meeting
ГородBoston, MA, USA
Период8/04/9612/04/96

Предметные области Scopus

  • Материаловедение (все)
  • Физика конденсатов
  • Сопротивление материалов
  • Общее машиностроение

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «X-ray absorption at Si K-edge for novel compounds in the ternary system Si-C-N». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать