UNIVERSAL CAPACITIVE SPECTROMETER FOR MEASURING THE PARAMETERS OF DEEP CENTERS IN SEMICONDUCTORS AND MOS STRUCTURES.

Результат исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьярецензирование

Аннотация

A universal capacitive spectrometer, assembled based on a bridge scheme with successive phase-sensitive detection of an hf signal (10 MHz) and a feedback system, which provides a constant capacitance regime, is described. The spectrometer permits measuring the parameters of deep centers whose relative concentration varies from 10** minus **5 up to 1 in the range of relaxation times of the signal 10** minus **4-1 sec, determined by synchronous detection of the signal, for filling pulse durations of 10 nsec to 1 msec. The spectrometer is simple to calibrate. The minimum time for clearing the feedback system equals 10 mu sec.

Язык оригиналаанглийский
Страницы (с-по)696-701
Число страниц6
ЖурналInstruments and experimental techniques New York
Том30
Номер выпуска3 pt 2
СостояниеОпубликовано - мая 1987

Предметные области Scopus

  • Контрольно-измерительные инструменты

Fingerprint

Подробные сведения о темах исследования «UNIVERSAL CAPACITIVE SPECTROMETER FOR MEASURING THE PARAMETERS OF DEEP CENTERS IN SEMICONDUCTORS AND MOS STRUCTURES.». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать