The characteristics of semiconductor-to-metal transition in VO2 of different morphology

Результат исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья

Язык оригинала	английский
Страницы (с-по)	012121
Журнал	Journal of Physics: Conference Series
Том	643
Номер выпуска	1
Состояние	Опубликовано - 2015

Цитировать

@article{89b79ecef43947c897e36b83a7a3ad6f,

title = "The characteristics of semiconductor-to-metal transition in VO2 of different morphology",

author = "Yu.V. Petukhova and O.M. Osmolowskaya and M.G. Osmolowsky",

year = "2015",

language = "English",

volume = "643",

pages = "012121",

journal = "Journal of Physics: Conference Series",

issn = "1742-6588",

publisher = "IOP Publishing Ltd.",

number = "1",

}

В: Journal of Physics: Conference Series, Том 643, № 1, 2015, стр. 012121.

Результат исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья