Документы

  • 01_6-10_18(1.1)2025

    Конечная издательская версия, 318 KB, Документ PDF

DOI

Переведенное названиеПроцессы спин-решеточной релаксации ядер в GaAs:Mn
Язык оригиналаанглийский
Страницы (с-по)6-10
ЖурналSt. Petersburg State Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics
Том18
Номер выпуска1.1
DOI
СостояниеОпубликовано - мая 2025
Событие26 Всероссийская молодежная конференция "Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника" - Академический университет им. Ж. И. Алферова, Санкт-Петербург, Российская Федерация
Продолжительность: 25 ноя 2024 → 29 ноя 2024
Номер конференции: 26
https://www.semicond.ru/index.php/conf2024

    Области исследований

  • полупроводники, арсенид галлия, ядерный спин, спиновая динамика, спин-решеточная релаксация, оптическая ориентация

ID: 137982645