Spin memory in the n-doped GaAs/AlGaAs quantum wells

SY Verbin, YP Efimov, VV Petrov, IV Ignatiev, YK Dolgikh, SA Eliseev, IY Gerlovin, VV Ovsyankin, Y Masumoto

Результат исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › рецензирование

Язык оригинала	не определен
Страницы (с-по)	432-435
Журнал	Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering
Том	5023
Состояние	Опубликовано - 2003
Опубликовано для внешнего пользования	Да

Доступ к документу

@article{4b725dcde55b41319826710f41a604e2,

title = "Spin memory in the n-doped GaAs/AlGaAs quantum wells",

author = "SY Verbin and YP Efimov and VV Petrov and IV Ignatiev and YK Dolgikh and SA Eliseev and IY Gerlovin and VV Ovsyankin and Y Masumoto",

year = "2003",

language = "не определен",

volume = "5023",

pages = "432--435",

journal = "Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering",

issn = "0277-786X",

publisher = "SPIE",

}

Spin memory in the n-doped GaAs/AlGaAs quantum wells. / Verbin, SY; Efimov, YP; Petrov, VV; Ignatiev, IV; Dolgikh, YK; Eliseev, SA; Gerlovin, IY; Ovsyankin, VV; Masumoto, Y.

Результат исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › рецензирование

TY - JOUR

T1 - Spin memory in the n-doped GaAs/AlGaAs quantum wells

AU - Verbin, SY

AU - Efimov, YP

AU - Petrov, VV

AU - Ignatiev, IV

AU - Dolgikh, YK

AU - Eliseev, SA

AU - Gerlovin, IY

AU - Ovsyankin, VV

AU - Masumoto, Y

PY - 2003

Y1 - 2003

M3 - статья

VL - 5023

SP - 432

EP - 435

JO - Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering

JF - Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering

SN - 0277-786X

ER -