Photoluminescence manipulation by ion beam irradiation in CsPbBr3 halide perovskite single crystals

Результат исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьярецензирование

3 Цитирования (Scopus)

Аннотация

Halide perovskites are promising materials for optoelectronics with an attractive radiation resistance property. In this article, we study the effect of 30 keV Ga+ ion irradiation on the photoluminescence (PL) of CsPbBr3 halide perovskite single crystals. The high crystal quality and liquid helium temperature studies make it possible to distinguish the radiation-defect-related PL band. A model to explain the band shifts with radiation dose and pulsed pump intensity has been developed. Bright defect PL allows the visualization of the irradiated areas using PL mapping. Manipulation of optical properties using focused ion beams opens wide opportunities for halide perovskite nanofabrication for optoelectronics.

Язык оригиналаанглийский
Страницы (с-по)21130-21134
ЖурналJournal of Physical Chemistry C
Том123
Номер выпуска34
DOI
СостояниеОпубликовано - 2 авг 2019

Предметные области Scopus

  • Электроника, оптика и магнитные материалы
  • Энергия (все)
  • Физическая и теоретическая химия
  • Поверхности, слои и пленки

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Photoluminescence manipulation by ion beam irradiation in CsPbBr<sub>3</sub> halide perovskite single crystals». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать