Onefold coordinated oxygen atom: An electron trap in the silicon oxide

V. A. Gritsenko, A. V. Shaposhnikov, Yu N. Novikov, A. P. Baraban, Hei Wong, G. M. Zhidomirov, M. Roger

Результат исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья

12 Цитирования (Scopus)


It has been long suggested that the ≡SiOH defect is an electron or "water" trap in silicon dioxide based on some indirect evidences. In this work, quantum calculation on the capturing properties of non-bridging oxygen hole center with unpaired electron ≡SiO· and hydrogen defect ≡SiOH in silicon oxide are performed with the ab initio density-functional method. It was found that the ≡SiO· defect is an electron trap and this defect should be the responsible candidate for better hardness against radiation for the metal-oxide-semiconductor gate oxide produced by wet oxidation. We found that the ≡SiOH defect could not be an electron trap according to the present calculation results.

Язык оригиналаанглийский
Страницы (с-по)665-669
Число страниц5
ЖурналMicroelectronics Reliability
Номер выпуска4
СостояниеОпубликовано - 1 апр 2003

Предметные области Scopus

  • Электроника, оптика и магнитные материалы
  • Атомная и молекулярная физика и оптика
  • Безопасность, риски, качество и надежность
  • Физика конденсатов
  • Поверхности, слои и пленки
  • Электротехника и электроника

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Onefold coordinated oxygen atom: An electron trap in the silicon oxide». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

  • Цитировать