Numerical study of one-fold coordinated oxygen atom in silicon gate oxide

V. A. Gritsenko, A. Shaposhnikov, Yu N. Novikov, A. P. Baraban, Hei Wong, G. M. Zhidomirov, M. Roger

Результат исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийстатья в сборнике материалов конференциинаучнаярецензирование

Аннотация

The capturing properties of nonbridging oxygen hole centers with unpaired electrons ≡SiO· and hydrogen defects ≡SiOH in silicon oxide have been studied using the ab initio density-functional method. It was found that the ≡SiO· defect is an electron trap and should be the responsible candidate for better hardness against radiation for the metal-oxide-semiconductor gate oxide produced by wet oxidation. On the other hand, the ≡SiOH defect, which was proposed to be an electron or "water trap" in the oxide (A. Hartstein and D. R. Young, Appl. Phys. Lett., vol. 38, pp. 631, 1981), could not be an electron trap according to the present calculation results.

Язык оригиналаанглийский
Название основной публикацииProceedings - 2002 IEEE Hong Kong Electron Devices Meeting, HKEDM 2002
ИздательInstitute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
Страницы39-42
Число страниц4
ISBN (электронное издание)0780374290
DOI
СостояниеОпубликовано - 1 янв 2002
Событие9th IEEE Hong Kong Electron Devices Meeting, HKEDM 2002 - Hong Kong, Китай
Продолжительность: 22 июн 2002 → …

Серия публикаций

НазваниеProceedings of the IEEE Hong Kong Electron Devices Meeting
Том2002-January

Конференция

Конференция9th IEEE Hong Kong Electron Devices Meeting, HKEDM 2002
СтранаКитай
ГородHong Kong
Период22/06/02 → …

Предметные области Scopus

  • Электротехника и электроника
  • Электроника, оптика и магнитные материалы
  • Физика конденсатов

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Numerical study of one-fold coordinated oxygen atom in silicon gate oxide». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

  • Цитировать

    Gritsenko, V. A., Shaposhnikov, A., Novikov, Y. N., Baraban, A. P., Wong, H., Zhidomirov, G. M., & Roger, M. (2002). Numerical study of one-fold coordinated oxygen atom in silicon gate oxide. В Proceedings - 2002 IEEE Hong Kong Electron Devices Meeting, HKEDM 2002 (стр. 39-42). [1029152] (Proceedings of the IEEE Hong Kong Electron Devices Meeting; Том 2002-January). Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.. https://doi.org/10.1109/HKEDM.2002.1029152