Numerical simulation of the temperature dependence of the photoluminescence spectra of InAs/GaAs quantum dots

M. B. Smirnov, V. G. Talalaev, B. V. Novikov, S. V. Sarangov, G. É Tsyrlin, N. D. Zakharov

Результат исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьярецензирование

5 Цитирования (Scopus)

Аннотация

A mathematical model is proposed for describing the temperature dependence of the photoluminescence spectrum of self-ordered arrays of quantum dots with due regard for the electron-phonon interaction and different transfer processes in the "quantum dot-wetting layer-barrier" system. This model, as applied to analysis of the experimental spectra of InAs quantum dots grown on GaAs vicinal substrates, makes it possible to separate the manifestations of different mechanisms of excitation transfer in the photoluminescence spectra and to relate the observed temperature dependences of the spectra to the structural features of the quantum-dot array.

Язык оригиналаанглийский
Страницы (с-по)1184-1190
Число страниц7
ЖурналPhysics of the Solid State
Том49
Номер выпуска6
DOI
СостояниеОпубликовано - июн 2007

Предметные области Scopus

  • Электроника, оптика и магнитные материалы
  • Физика конденсатов

Fingerprint

Подробные сведения о темах исследования «Numerical simulation of the temperature dependence of the photoluminescence spectra of InAs/GaAs quantum dots». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать