Numerical modeling of indirect excitons in double quantum wells in an external electric field

Результат исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья в журнале по материалам конференции

1 Цитирования (Scopus)

Аннотация

The ground state of an exciton in the GaAs-based double quantum well structure in an external electric field is calculated by the direct numerical solution of the three-dimensional Schrödinger equation. A formation of the indirect exciton is demonstrated by the study of the localization of the exciton wave function in the double quantum well structure for different electric field strengths. A relatively slow radiative decay rate of the indirect exciton is observed.

Язык оригиналаанглийский
Номер статьи012018
ЖурналJournal of Physics: Conference Series
Том1199
Номер выпуска1
DOI
СостояниеОпубликовано - 17 апр 2019
Событие20th Russian Youth Conference on Physics of Semiconductors and Nanostructures, Optoand Nanoelectronics, RYCPS 2018 - St. Petersburg, Российская Федерация
Продолжительность: 26 ноя 201830 ноя 2018

    Fingerprint

Предметные области Scopus

  • Физика и астрономия (все)

Цитировать