Modeling of exciton exchange interaction in GaAs/AlGaAs quantum wells

Результат исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья в журнале по материалам конференциирецензирование

Аннотация

In this work, we study the exchange interactions between two excitons in the GaAs/AlGaAs quantum wells of various widths. We numerically solved the Schrödinger equation for an exciton in a quantum well to find the two-exciton wave functions and to calculate the exchange integral. The results suggest that the strongest interactions between excitons occur in the quantum wells of widths of about 40–50 nm, with the exchange energy being of about of 9 μeV for an exciton density of 1/μm2.
Язык оригиналаанглийский
Страницы (с-по)1503-1505
ЖурналSemiconductors
Том54
Номер выпуска11
СостояниеОпубликовано - 2020
Событие28th International Symposium on Nanostructures: Physics and technology - Минск, Белоруссия
Продолжительность: 28 сен 20202 окт 2020
Номер конференции: 28
http://www.ioffe.ru/NANO2020/index.php?row=0&subrow=0&lang=en

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Modeling of exciton exchange interaction in GaAs/AlGaAs quantum wells». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать