Model for nucleation of catalyst-free III-V nanowires on patterned substrates

Y. Berdnikov, A. S. Sokolovskii, N. V. Sibirev

Результат исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья в журнале по материалам конференциирецензирование

Аннотация

Catalyst-free growth of III-V nanowires enables different optoelectronic applications though usually requires substrate patterning to control the size and position of nanowires. However, the impact of substrate modification on the nanowire nucleation is not well-understood yet. The theoretical approach of this work studies the effect of substrate boundaries and adatom diffusion on the nucleation rate of catalyst-free III-V NWs on substrates with circularly symmetric patterning. In the model results, we distinguish and demonstrate four different scenarios of nanowire nucleation, depending on the properties of the patterned and unpatterned surfaces.

Язык оригиналаанглийский
Номер статьи012030
ЖурналJournal of Physics: Conference Series
Том1482
Номер выпуска1
DOI
СостояниеОпубликовано - 25 мар 2020
Событие21st Russian Youth Conference on Physics of Semiconductors and Nanostructures, Opto- and Nanoelectronics, RYCPS 2019 - St. Petersburg, Российская Федерация
Продолжительность: 25 ноя 201929 ноя 2019

Предметные области Scopus

  • Физика и астрономия (все)

Fingerprint

Подробные сведения о темах исследования «Model for nucleation of catalyst-free III-V nanowires on patterned substrates». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать