«MBE growth and optical properties of GaAs nanowires grown on Si(111) substrate using two-temperature steps regime»

R.R. Reznik, I.V. Shtrom, Yu.B. Samsonenko, A.I. Khrebtov, A.D. Bourauvlev, I.P. Soshnikov, N.V. Kryzhanovskaya, G.E. Cirlin

Результат исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийстатья в сборнике материалов конференциирецензирование

Аннотация

Используя двухтемнературный режим роста нам удалось вырастить заостренные нанонити на основе GaAs на кремниевой подложке и исследовать их оптические спектры. Оказалось, что от такого массива нанинитей можно наблюдать спектры фотолюминесценции вплоть до комнатной температуры. Спектры фотолюминесценции при низкой температуре состоят из узких полос, соответствующих связанным с поверхностью электронными состояния и связанными на примесях экситонами. После обработки толуолом, тонкая структура в спектрах исчезала.
Язык оригиналаанглийский
Название основной публикации«MBE growth and optical properties of GaAs nanowires grown on Si(111) substrate using two-temperature steps regime»
Страницы012003
DOI
СостояниеОпубликовано - 2015

Fingerprint

Подробные сведения о темах исследования ««MBE growth and optical properties of GaAs nanowires grown on Si(111) substrate using two-temperature steps regime»». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать