MBE-Grown In xGa1– xAs Nanowires with 50% Composition

Переведенное название: МПЭ выращенные InGaAs Нитевидные нанокристаллы с 50% составом

V. G. Dubrovskii, R. R. Reznik, N. V. Kryzhanovskaya, I. V. Shtrom, E. D. Ubyivovk, I. P. Soshnikov, G. E. Cirlin

Результат исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьярецензирование

Аннотация

In a particular case of Au-catalyzed InxGa1 -xAs nanowires, wide compositional tuning has been obtained using metal organic vapor-phase epitaxy, which remains difficult for molecular beam epitaxy. InxGa1 -xAs nanowires are demonstrated withx= 0.5, grown by Au-catalyzed molecular beam epitaxy via the vapor-solid-solid mode at a low temperature of 220 degrees C. Low-temperature growth suppresses re-evaporation of indium and gallium atoms and their surface diffusion, which is why the composition of ternary nanowires is precisely determined by the indium content in vapor. This method can be used for compositional tuning of other ternary III-V and III-N nanowires grown by molecular beam epitaxy.

Переведенное названиеМПЭ выращенные InGaAs Нитевидные нанокристаллы с 50% составом
Язык оригиналаанглийский
Страницы (с-по)650-653
Число страниц4
ЖурналSemiconductors
Том54
Номер выпуска6
DOI
СостояниеОпубликовано - 1 июн 2020

Предметные области Scopus

  • Электроника, оптика и магнитные материалы
  • Физика конденсатов
  • Атомная и молекулярная физика и оптика

Fingerprint

Подробные сведения о темах исследования «МПЭ выращенные InGaAs Нитевидные нанокристаллы с 50% составом». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать