Kinetic approach to field emission from semiconductors by computer simulation using particles

V. E. Gherm, N. V. Mileshkina, E. A. Semykina

Результат исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья

7 Цитирования (Scopus)

Аннотация

Direct statistical simulation of non-stationary non-equilibrium electronic phenomena in one-dimensional semiconductor structures is carried out to estimate their influence on the field emission from semiconductors in different working modes of needle cathodes. A macroparticles method is used with self-consistent electric field conditions, taking into account the three-dimensional character of the electron scattering. Computation results are given for n-type A IIIBV semiconductors.

Язык оригиналаанглийский
Номер статьи017
Страницы (с-по)1263-1270
Число страниц8
ЖурналJournal of Physics: Condensed Matter
Том2
Номер выпуска5
DOI
СостояниеОпубликовано - 1990
Опубликовано для внешнего пользованияДа

    Fingerprint

Предметные области Scopus

  • Физика конденсатов
  • Электроника, оптика и магнитные материалы

Цитировать