Helium focused ion beam irradiation with subsequent chemical etching for the fabrication of nanostructures

Yu.V. Petrov, E.A. Grigoryev, A.P. Baraban

Результат исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьярецензирование

Аннотация

In this paper we demonstrate a nanofabrication technique based on local ion irradiation of silicon dioxide with a focused helium ion beam. The wet etching of silicon dioxide irradiated with a focused helium ion beam is described in a two-dimensional case both numerically and experimentally. We suggest a model for the etching process based on the distribution of ion induced defects in the irradiated material. The profile of the surface of the etched silicon dioxide is simulated and compared with the results from scanning electron microscopy. Fabrication of a suspended nanostring with a diameter of less than 20 nm by means of etching ion-irradiated material is demonstrated.
Язык оригиналаанглийский
Номер статьи215301
Число страниц9
ЖурналNanotechnology
Том31
Номер выпуска21
Ранняя дата в режиме онлайн24 янв 2020
DOI
СостояниеОпубликовано - 22 мая 2020

Предметные области Scopus

  • Сопротивление материалов
  • Общее машиностроение
  • Биоинженерия
  • Химия (все)
  • Материаловедение (все)
  • Электротехника и электроника

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Helium focused ion beam irradiation with subsequent chemical etching for the fabrication of nanostructures». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать