«Generation of Terahertz Radiation by AlGaAs Nanowires»

V.N. Trukhin, A.C. Buyskih, A.D. Bouravlev, I.A. Mustafin, Yu.B. Samsonenko, A.V. Trukhin, G.E. Cirlin, M.A. Kaliteevski, D.A. Zeze, A.J. Gallant

Результат исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьярецензирование

2 Цитирования (Scopus)

Аннотация

Наблюдалось терагерцовое излучение из нанонитей на основе AlGaAs, выращенных на подложке GaAs при возбуждении фемтосекундными оптическими импульсами. Показано, что терагерцовое излучение происходит из-за возбуждения фототока в нанонитях. Динамика фотоиндуцированных носителей заряда изучалась с помощью влияния электронно-дырочной плазмы на терагерцовое излучение. Показано, что захват носителей заряда на вакансии, которые существуют на границах нанонитей и на границах между кубической и гексагональной фазами в нанонитях, приводит к увеличению эффективности терагерцового излучения.
Язык оригиналаанглийский
Страницы (с-по)316-320
ЖурналJETP Letters
Том102
Номер выпуска5
СостояниеОпубликовано - 2015
Опубликовано для внешнего пользованияДа

Fingerprint

Подробные сведения о темах исследования ««Generation of Terahertz Radiation by AlGaAs Nanowires»». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать