Field-controlled domain-wall resistance in magnetic nanojunctions

J. D. Burton, A. Kashyap, M. Ye Zhuravlev, R. Skomski, E. Y. Tsymbal, S. S. Jaswal, O. N. Mryasov, R. W. Chantrell

Результат исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьярецензирование

15 Цитирования (Scopus)

Аннотация

The electrical resistance of a constrained domain wall (DW) in a nanojunction was discussed. It was found that the anisotropy of the electrodes favors a localization of the domain wall within the constriction (wire) revealing a positive domain-wall resistance. An applied magnetic field moved the domain wall toward one of the electrodes and reduced its width. A sizeable enhancement of the domain-wall resistance was found to be due to this compression of the domain wall.

Язык оригиналаанглийский
Страницы (с-по)251-253
Число страниц3
ЖурналApplied Physics Letters
Том85
Номер выпуска2
DOI
СостояниеОпубликовано - 12 июл 2004

Предметные области Scopus

  • Физика и астрономия (разное)

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Field-controlled domain-wall resistance in magnetic nanojunctions». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать