Ferroelectric switch for spin injection

M. Ye Zhuravlev, S. S. Jaswal, E. Y. Tsymbal, R. F. Sabirianov

Результат исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьярецензирование

102 Цитирования (Scopus)

Аннотация

A method for the switching of the spin polarization of the electric current injected into a semiconductor is proposed, based on injecting spins from a diluted magnetic semiconductor through a ferroelectric tunnel barrier. We show that the reversal of the electric polarization of the ferroelectric results in a sizable change in the spin polarization of the injected current, thereby providing a two-state electrical control of this spintronic device. We also predict a possibility of switching of tunneling magnetoresistance in magnetic tunnel junctions with a ferroelectric barrier and coexistence of tunneling magnetoresistance and giant electroresistance effects in these multiferroic tunnel junctions.

Язык оригиналаанглийский
Номер статьи222114
Страницы (с-по)1-3
Число страниц3
ЖурналApplied Physics Letters
Том87
Номер выпуска22
DOI
СостояниеОпубликовано - 30 ноя 2005

Предметные области Scopus

  • Физика и астрономия (разное)

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Ferroelectric switch for spin injection». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать