Features of SiO2 Layers Synthesized on Silicon by Molecular Layer Deposition

Результат исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьярецензирование

Аннотация

Abstract: The characteristics of silicon-oxide layers deposited by various technological methods are compared. It is shown that the catalytic method for obtaining silicon-oxide layers by molecular layering has a number of advantages. The main advantages are a low growth temperature, high-quality interface with a silicon substrate, and high growth rate of films. Studies by cathodoluminescence made it possible to evaluate the structural quality of silicon-oxide layers produced by molecular layering and confirmed the potential of this method in obtaining high-quality silicon-oxide films for broad practical application.

Язык оригиналаанглийский
Страницы (с-по)506-510
Число страниц5
ЖурналSemiconductors
Том54
Номер выпуска4
DOI
СостояниеОпубликовано - 1 апр 2020

Предметные области Scopus

  • Электроника, оптика и магнитные материалы
  • Атомная и молекулярная физика и оптика
  • Физика конденсатов

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Features of SiO<sub>2</sub> Layers Synthesized on Silicon by Molecular Layer Deposition». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать