Correlation of structure and intrinsic luminescence of freshly introduced dislocations in GaN revealed by SEM and TEM

O. S. Medvedev, O. F. Vyvenko, E. V. Ubyivovk, S. V. Shapenkov, M. Seibt

Результат исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийстатья в сборнике материалов конференциинаучнаярецензирование

1 Цитирования (Scopus)

Аннотация

Dislocation structure and cathodoluminescence (CL) of locally plastically deformed n-GaN is investigated in transmission electron microscope (TEM) and in scanning electron microscope (SEM). Multiple dense indentations of the samples with subsequent TEM foil preparation enables to study the same dislocation-rich region of the specimen with both TEM and CL-SEM and to establish direct correlation between the types of dislocations and their luminescent properties. It is shown that only straight segments of a-screw dislocations possess intrinsic luminescent band at 3.12 eV at room temperature confirming previous conclusion made from independent SEM and TEM results.

Язык оригиналаанглийский
Название основной публикацииInternational Conference on State-of-the-Art Trends of Scientific Research of Artificial and Natural Nanoobjects, STRANN 2018
РедакторыYuri Petrov, Oleg Vyvenko
ИздательAmerican Institute of Physics
ISBN (электронное издание)9780735417922
DOI
СостояниеОпубликовано - 2019
СобытиеInternational Conference on State-of-the-Art Trends of Scientific Research of Artificial and Natural Nanoobjects, STRANN 2018 - Moscow, Российская Федерация
Продолжительность: 17 окт 201819 окт 2018

Серия публикаций

НазваниеAIP Conference Proceedings
Том2064

конференция

конференцияInternational Conference on State-of-the-Art Trends of Scientific Research of Artificial and Natural Nanoobjects, STRANN 2018
СтранаРоссийская Федерация
ГородMoscow
Период17/10/1819/10/18

Предметные области Scopus

  • Физика и астрономия (все)

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Correlation of structure and intrinsic luminescence of freshly introduced dislocations in GaN revealed by SEM and TEM». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать