Computer simulation of kinetic processes near a semiconductor surface at a high electric field using the particle method

V. E. Gherm, N. V. Mileshkina, E. A. Semykina

Результат исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьярецензирование

14 Цитирования (Scopus)

Аннотация

The feasibility of computer simulation of electronic relaxation at a semiconductor-vacuum interface under a strong electric field is demonstrated. A kinetic description of conduction band electrons in a space-charge region layer with a self-consistent electric field under electron-impurity and electron-phonon scattering is developed by the particle method and Monte Carlo procedure. Results for the transient electronic process in a semiconductor field emitter are given.

Язык оригиналаанглийский
Номер статьи019
Страницы (с-по)1545-1554
Число страниц10
ЖурналJournal of Physics: Condensed Matter
Том4
Номер выпуска6
DOI
СостояниеОпубликовано - 1992

Предметные области Scopus

  • Физика конденсатов
  • Электроника, оптика и магнитные материалы

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Computer simulation of kinetic processes near a semiconductor surface at a high electric field using the particle method». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать