Characterization of the degradation processes in Si

S. A. Bota, J. R. Moranta, A. P. Baraban, V. V. Bulavinov, P. P. Konorov

Результат исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийстатья в сборнике материалов конференциинаучнаярецензирование

Аннотация

A non destructive method to characterize the properties of SiO2 films in SiO2-Si structures and analyze their variations under different external actions is presented and discussed. The characterization of hole traps, electron traps and defect precursors states in SiO2 films are carried out as well as their evolution and influence on the SiO2-Si structure degradation behavior. Results measured on SiO2-Si structures obtained from different technological processes and submitted to different treatments are reported in order to discuss the possibilities of this method as a power tool to assess the stability and quality of insulating layer on semiconductors.

Язык оригиналаанглийский
Название основной публикацииMaterials Research Society Symposium Proceedings
РедакторыKenneth P. Rodbell, William F. Filter, Harold J. Frost, Paul S. Ho
ИздательMaterials Research Society
Страницы49-54
Число страниц6
ISBN (печатное издание)1558992057
СостояниеОпубликовано - 1 янв 1993
СобытиеProceedings of the Symposium on Materials Reliability in Microelectronics III - San Francisco, CA, USA
Продолжительность: 12 апр 199315 апр 1993

Серия публикаций

НазваниеMaterials Research Society Symposium Proceedings
Том309
ISSN (печатное издание)0272-9172

конференция

конференцияProceedings of the Symposium on Materials Reliability in Microelectronics III
ГородSan Francisco, CA, USA
Период12/04/9315/04/93

Предметные области Scopus

  • Материаловедение (все)
  • Физика конденсатов
  • Сопротивление материалов
  • Общее машиностроение

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Characterization of the degradation processes in Si». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать