Characterization of High-k Dielectrics Internal Structure by X-Ray Spectroscopy and Reflectometry: New Approaches to Interlayer Identification and Analysis (Chapter 7)

E. O. Filatova, I. V. Kozhevnikov, A. A. Sokolov

Результат исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийглава/разделнаучная

8 Цитирования (Scopus)
Язык оригиналаанглийский
Название основной публикацииHigh –k Gate Dielectrics for CMOS Technology / Ed. by Gang He, Zhaoqi Sun
ИздательWiley-Blackwell
Страницы558, 225-271
ISBN (печатное издание)978-3-527-33032-4
DOI
СостояниеОпубликовано - 2012

Цитировать

Filatova, E. O., Kozhevnikov, I. V., & Sokolov, A. A. (2012). Characterization of High-k Dielectrics Internal Structure by X-Ray Spectroscopy and Reflectometry: New Approaches to Interlayer Identification and Analysis (Chapter 7). В High –k Gate Dielectrics for CMOS Technology / Ed. by Gang He, Zhaoqi Sun (стр. 558, 225-271). Wiley-Blackwell. https://doi.org/10.1002/9783527646340.ch7