Standard

СТРУКТУРНАЯ ЭВОЛЮЦИЯ НАНОРАЗМЕРНЫХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СЛОЕВ Hf 0.5Zr0.5O2 В РЕЗУЛЬТАТЕ ИХ ЦИКЛИЧЕСКОЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ СТИМУЛЯЦИИ. / Лев, Леонид; Конашук, Алексей Сергеевич; Хакимов, Роман; Черникова, Анна; Маркеев, Андрей; Лебедев, А.М.; Назин, В.Г.; Чумаков, Ратибор; Зенкевич, Андрей.

в: ПОВЕРХНОСТЬ. РЕНТГЕНОВСКИЕ, СИНХРОТРОННЫЕ И НЕЙТРОННЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ, Том 4, 2025, стр. 3-10.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Harvard

Лев, Л, Конашук, АС, Хакимов, Р, Черникова, А, Маркеев, А, Лебедев, АМ, Назин, ВГ, Чумаков, Р & Зенкевич, А 2025, 'СТРУКТУРНАЯ ЭВОЛЮЦИЯ НАНОРАЗМЕРНЫХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СЛОЕВ Hf 0.5Zr0.5O2 В РЕЗУЛЬТАТЕ ИХ ЦИКЛИЧЕСКОЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ СТИМУЛЯЦИИ', ПОВЕРХНОСТЬ. РЕНТГЕНОВСКИЕ, СИНХРОТРОННЫЕ И НЕЙТРОННЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ, Том. 4, стр. 3-10. https://doi.org/10.31857/S1028096025040011

APA

Лев, Л., Конашук, А. С., Хакимов, Р., Черникова, А., Маркеев, А., Лебедев, А. М., Назин, В. Г., Чумаков, Р., & Зенкевич, А. (2025). СТРУКТУРНАЯ ЭВОЛЮЦИЯ НАНОРАЗМЕРНЫХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СЛОЕВ Hf 0.5Zr0.5O2 В РЕЗУЛЬТАТЕ ИХ ЦИКЛИЧЕСКОЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ СТИМУЛЯЦИИ. ПОВЕРХНОСТЬ. РЕНТГЕНОВСКИЕ, СИНХРОТРОННЫЕ И НЕЙТРОННЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ, 4, 3-10. https://doi.org/10.31857/S1028096025040011

Vancouver

Лев Л, Конашук АС, Хакимов Р, Черникова А, Маркеев А, Лебедев АМ и пр. СТРУКТУРНАЯ ЭВОЛЮЦИЯ НАНОРАЗМЕРНЫХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СЛОЕВ Hf 0.5Zr0.5O2 В РЕЗУЛЬТАТЕ ИХ ЦИКЛИЧЕСКОЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ СТИМУЛЯЦИИ. ПОВЕРХНОСТЬ. РЕНТГЕНОВСКИЕ, СИНХРОТРОННЫЕ И НЕЙТРОННЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ. 2025;4:3-10. https://doi.org/10.31857/S1028096025040011

Author

Лев, Леонид ; Конашук, Алексей Сергеевич ; Хакимов, Роман ; Черникова, Анна ; Маркеев, Андрей ; Лебедев, А.М. ; Назин, В.Г. ; Чумаков, Ратибор ; Зенкевич, Андрей. / СТРУКТУРНАЯ ЭВОЛЮЦИЯ НАНОРАЗМЕРНЫХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СЛОЕВ Hf 0.5Zr0.5O2 В РЕЗУЛЬТАТЕ ИХ ЦИКЛИЧЕСКОЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ СТИМУЛЯЦИИ. в: ПОВЕРХНОСТЬ. РЕНТГЕНОВСКИЕ, СИНХРОТРОННЫЕ И НЕЙТРОННЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ. 2025 ; Том 4. стр. 3-10.

BibTeX

@article{3187dded789a4290a175d346b9311f98,
title = "СТРУКТУРНАЯ ЭВОЛЮЦИЯ НАНОРАЗМЕРНЫХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СЛОЕВ Hf 0.5Zr0.5O2 В РЕЗУЛЬТАТЕ ИХ ЦИКЛИЧЕСКОЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ СТИМУЛЯЦИИ",
abstract = "При использовании ранее разработанной методологии анализа фазового состава сверхтонких слоев HZO синхротронным методом NEXAFS показано, что в конденсаторах на основе структур TiN/HZO/TiN “пробуждение”, наблюдающееся в течение первых 105 циклов переключений, объясняется увеличением относительного содержания полярной ромбической фазы в HZO за счет уменьшения содержания “паразитной” тетрагональной фазы. Полученные результатыподтверждают стимулированный электрическим полем структурный фазовый переход в пленках как один из механизмов, объясняющих эволюцию функциональных свойств сегнетоэлектрических элементов памяти на основе HZO на протяжении их срока эксплуатации.",
author = "Леонид Лев and Конашук, {Алексей Сергеевич} and Роман Хакимов and Анна Черникова and Андрей Маркеев and А.М. Лебедев and В.Г. Назин and Ратибор Чумаков and Андрей Зенкевич",
year = "2025",
doi = "10.31857/S1028096025040011",
language = "русский",
volume = "4",
pages = "3--10",
journal = "ПОВЕРХНОСТЬ. РЕНТГЕНОВСКИЕ, СИНХРОТРОННЫЕ И НЕЙТРОННЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ",
issn = "1027-4510",
publisher = "МАИК {"}Наука/Интерпериодика{"}",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - СТРУКТУРНАЯ ЭВОЛЮЦИЯ НАНОРАЗМЕРНЫХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СЛОЕВ Hf 0.5Zr0.5O2 В РЕЗУЛЬТАТЕ ИХ ЦИКЛИЧЕСКОЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ СТИМУЛЯЦИИ

AU - Лев, Леонид

AU - Конашук, Алексей Сергеевич

AU - Хакимов, Роман

AU - Черникова, Анна

AU - Маркеев, Андрей

AU - Лебедев, А.М.

AU - Назин, В.Г.

AU - Чумаков, Ратибор

AU - Зенкевич, Андрей

PY - 2025

Y1 - 2025

N2 - При использовании ранее разработанной методологии анализа фазового состава сверхтонких слоев HZO синхротронным методом NEXAFS показано, что в конденсаторах на основе структур TiN/HZO/TiN “пробуждение”, наблюдающееся в течение первых 105 циклов переключений, объясняется увеличением относительного содержания полярной ромбической фазы в HZO за счет уменьшения содержания “паразитной” тетрагональной фазы. Полученные результатыподтверждают стимулированный электрическим полем структурный фазовый переход в пленках как один из механизмов, объясняющих эволюцию функциональных свойств сегнетоэлектрических элементов памяти на основе HZO на протяжении их срока эксплуатации.

AB - При использовании ранее разработанной методологии анализа фазового состава сверхтонких слоев HZO синхротронным методом NEXAFS показано, что в конденсаторах на основе структур TiN/HZO/TiN “пробуждение”, наблюдающееся в течение первых 105 циклов переключений, объясняется увеличением относительного содержания полярной ромбической фазы в HZO за счет уменьшения содержания “паразитной” тетрагональной фазы. Полученные результатыподтверждают стимулированный электрическим полем структурный фазовый переход в пленках как один из механизмов, объясняющих эволюцию функциональных свойств сегнетоэлектрических элементов памяти на основе HZO на протяжении их срока эксплуатации.

UR - http://elibrary.ru/FBOYZB

U2 - 10.31857/S1028096025040011

DO - 10.31857/S1028096025040011

M3 - статья

VL - 4

SP - 3

EP - 10

JO - ПОВЕРХНОСТЬ. РЕНТГЕНОВСКИЕ, СИНХРОТРОННЫЕ И НЕЙТРОННЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ

JF - ПОВЕРХНОСТЬ. РЕНТГЕНОВСКИЕ, СИНХРОТРОННЫЕ И НЕЙТРОННЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ

SN - 1027-4510

ER -

ID: 142164311