Электронная структура и нелинейная диэлектрическая восприимчивость γ-фазы оксида теллура.

Е.М. Рогинский

Результат исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья

Аннотация

Теоретически с использованием неэмпирических квантово-механических расчетов изучены структурные, электронные и нелинейные оптические свойства кристалла γ-TeO2. Учет локализации электронов на 5d-орбитали проведен с использованием поправок Хаббарда к функционалу плотности (приближение LDA + U). Использование такого подхода позволило достаточно точно воспроизвести экспериментальные структурные параметры. Электронная структура изучена с использованием квазичастичного приближения G_0W0, зарекомендовавшим себя как один из наиболее точных методов расчета зонной структуры. Установлено, что кристалл γ-TeO2 представляет собой широкозонный полупроводник с непрямым оптическим переходом. При помощи максимально локализованных функций Ванье выполнен анализ химической связи в этом оксиде и показано, что валентные электроны атомов кислорода находятся в sp3 гибридизации, а валентность атомов теллура равна четырем. Ключевые слова: нелинейная оптика, оксиды теллура, ab initio расчеты.
Язык оригиналарусский
Страницы (с-по)547-553
ЖурналФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА
Том62
Номер выпуска4
СостояниеОпубликовано - 2020
Опубликовано для внешнего пользованияДа

Ключевые слова

  • ab initio
  • nonlinear optics
  • Tellurium oxides

Цитировать