ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА ИНТЕРФЕЙСОВ PTCDA/GAAS И NTCDA/GAAS

С.А. Комолов, Ю.Г. Аляев, Н.В. Потюпкин, И.О. Бузин

Результат исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьярецензирование

Аннотация

Были проведены исследования процесса формирования интерфейсов между органическими полупро-водниковыми материалами PTCDA и NTCDA и поверхностью монокристалла GaAs (100). Применение спектроскопии полного тока позволило проследить особенности формирования интерфейсной электронной структуры. Между обоими органическими материалами и подложкой GaAs образуется связь за счет затягивания на подложку π-электронного облака ароматического ядра молекул. При этом наблюдаются модификация соответствующих электронных состояний молекул интерфейсного слоя, а также возникновение диполя на интерфейсе.
Язык оригиналарусский
Страницы (с-по)73-77
ЖурналЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ
Номер выпуска2
СостояниеОпубликовано - 2005
Опубликовано для внешнего пользованияДа

Цитировать