ЭКРАНИРОВАНИЕ В ДВУМЕРНОМ ЭЛЕКТРОННОМ ГАЗЕ: ПЛОТНОСТЬ ИНДУЦИРОВАННОГО ЗАРЯДА, ПОТЕНЦИАЛ И ЕМКОСТЬ

Д.В. Ковалевский, А.Е. Кучма

Результат исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьярецензирование

Аннотация

В приближении Томаса-Ферми при нулевой температуре решаетсязадача об экранировании в двумерном электронном газе, занимающем две полуплоскости, разделенные зазором. Получены аналитические выражения для профилей потенциала и избыточной концентрации электронов, а также для величины емкости системы. Within Thomas-Fermi approximation in zero-temperature limit a problem on screening in two-dimensional electron gas occupying two half planes separated by a gap is solved. Analytical expressions for the potential distribution, the extra electron density and the capacity of the system are obtained.
Язык оригиналарусский
Страницы (с-по)20-26
ЖурналВЕСТНИК САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. СЕРИЯ 4: ФИЗИКА, ХИМИЯ
Номер выпуска3
СостояниеОпубликовано - 2008

Цитировать