Способ осаждения коллоидных наночастиц золота на поверхность кремниевых полупроводниковых пластин.

Алексей Дмитриевич Буравлев (изобретатель), Илья Петрович Сошников (изобретатель), Георгий Эрнстович Цырлин (изобретатель), Игорь Владимирович Илькив (изобретатель)

    Результат исследований: Патентование и регистрация прав на ИСпатент

    Аннотация

    <p num="33">Использование: для формирования массивов наночастиц золота на поверхности кремниевых пластин. Сущность изобретения заключается в том, что способ осаждения коллоидных наночастиц золота на поверхность кремниевых полупроводниковых пластин заключается в том, что наночастицы, имеющие в коллоидном растворе отрицательный заряд, могут быть нанесены на поверхность кремниевых пластин благодаря проведению процессов их предварительной ионно-плазменной обработки, вследствие которых на поверхности пластин возникает положительный заряд. Технический результат: обеспечение возможности контролируемого нанесения золотых частиц на поверхность кремниевых полупроводниковых пластин. 1 з.п. ф-лы, 3 ил. <img src="/get_item_image.asp?id=40994000&amp;img=00000001.jpg" class="img_big"></p>
    Язык оригиналарусский
    Номер патентаRU 2693546
    СостояниеОпубликовано - 14 дек 2016

    Цитировать