Особенности зарождения и роста нитевидных нанокристаллов InGaN на подложках

С.А. Кукушкин, А.О. Осипов, А.В. Редьков, В. М. Стожаров, Е.В. Убыйвовк, Ш.Ш. Шарофидинов

Результат исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьярецензирование

12 Загрузки (Pure)

Аннотация

Исследован рост слоев InGaN на гибридных подложках SiC/Si ориентаций (100), (110) и (111) методом хлорид-гидридной эпитаксии при температуре, заведомо превышающей температуру распада InN на атомы азота и металлический In (1000◦C). На подложках ориентаций (110) и (111) обнаружено формирование нитевидных нанокристаллов InGaN. Исследованы форма и механизмы роста нитевидных нанокристаллов. Показано, что нанокристаллы зарождаются на поверхности (111) только внутри V-дефектов, образующихся в местах выхода винтовых дислокаций на поверхность. На поверхности (110) нанокристаллы образуются только на пьедесталах, возникающих в процессе роста пленки. Дано объяснение различия механизмов роста нанокристаллов на подложках разной ориентации.
Язык оригиналарусский
Страницы (с-по)24-28
ЖурналПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ"
Том48
Номер выпуска4
Ранняя дата в режиме онлайн30 ноя 2021
СостояниеОпубликовано - 2022

Цитировать