Inhibition of Oxygen Scavenging by TiN at the TiN/SiO2 Interface by Atomic-Layer-Deposited Al2O3 Protective Interlayer

Переведенное название: Ограничение вымывания кислорода на границе TiN/SiO2 путем введения тонкого слоя Al2O3

Результат исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья

2 Цитирования (Scopus)

Аннотация

Chemical composition of interfaces between physical-vapor-deposited TiN and SiO2 as affected by introduction of a thin (0.5-3 nm) alumina interlayer was studied using photoelectron spectroscopy with high kinetic energies of photoelectrons (HAXPES) and a near-edge X-ray absorption fine structure (NEXAFS). Our results reveal the formation of TiO2 and titanium oxynitride phases both at the bottom interface of the TiN film and at its surface due to oxygen scavenging from the SiO2 and oxidation in air, respectively. Insertion of alumina layer as thin as the size of nanometers prevents the TiO2 growth at the bottom TiN/SiO2 interface but leads to the formation of an aluminosilicate layer. The thickness of this silicate layer is practically independent on the thickness of Al2O3. Presumably, the observed formation of SiOx (x < 2) at the Al2O3/SiO2 interface is a result of oxygen scavenging from silicon oxide by oxygen vacancies in alumina that formed because of Al2O3 and TiN interaction. The present study demonstrates that the oxidation of TiN to a TiO2 phase at the TiN/SiO2 interface can effectively be inhibited by an insertion of a nanometer-thin Al2O3 layer.

Переведенное названиеОграничение вымывания кислорода на границе TiN/SiO2 путем введения тонкого слоя Al2O3
Язык оригиналаанглийский
Страницы (с-по)22335-22344
ЖурналJournal of Physical Chemistry C
Том123
DOI
СостояниеЭлектронная публикация перед печатью - 15 авг 2019

Предметные области Scopus

  • Электроника, оптика и магнитные материалы
  • Энергия (все)
  • Физическая и теоретическая химия
  • Поверхности, слои и пленки

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Ограничение вымывания кислорода на границе TiN/SiO2 путем введения тонкого слоя Al2O3». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

  • Цитировать