Нетривиальная динамика экситонов в высококачественной InGaAs/GaAs квантовой яме

А. В. Трифонов, С. Н. Коротан, А. С. Курдюбов, И. Я. Герловин, И. В. Игнатьев, Ю. П. Ефимов, С. А. Елисеев, Ю. К. Долгих, В. В. Овсянкин, А. В. Кавокин

Результат исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийстатья в сборнике материалов конференции

Аннотация

Экспериментально изучены спектры экситонной фотолюминесценции (ФЛ) и отражения высококачественной полупроводнико вой гетероструктуры с InGaAs/GaAs квантовой ямой шириной ~95 нм в температурном диапазоне 4-30 К. Обнаружено, что спектральная ширина экситонных пиков практически не зависит от температуры при слабом оптическом возбуждении и носит необычный немотонный характер при более сильных накачках. В сигнале кинетики фотоотражения, изученной методом накачки-зондирования, наблюдаются две компоненты с различным временем затухания, связанные с радиационным распадом экситонов (~5 пс) и с формированием долгоживущего резервуара неизлучающих экситонов (~15 нс). Установлено, что немонотонная температурная зависимость спектральной ширины пиков в спектрах ФЛ определяется рассеянием излучающих экситонов неизлучающими, концентрация которых немонотонно зависит от температуры. В температурном интервале 4-15 К концентрация этих экситонов растет в связи с ростом средней кинетической энергии. При больших температурах происход
Язык оригиналане определен
Название основной публикацииТруды XIX Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника»
Страницы673-674
СостояниеОпубликовано - 2015
Опубликовано для внешнего пользованияДа

Цитировать

Трифонов, А. В., Коротан, С. Н., Курдюбов, А. С., Герловин, И. Я., Игнатьев, И. В., Ефимов, Ю. П., Елисеев, С. А., Долгих, Ю. К., Овсянкин, В. В., & Кавокин, А. В. (2015). Нетривиальная динамика экситонов в высококачественной InGaAs/GaAs квантовой яме. В Труды XIX Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» (стр. 673-674)