Заселение 2p55s – уровней атома неона в плазме смеси He-Ne. 1. Эволюция механизмов в разряде и послесвечении

В. А. Иванов, А. С. Петровская, Ю. Э. Скобло

Результат исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьярецензирование

Аннотация

Проведено спектроскопическое исследование процессов заселения возбужденных состояний атома неона 2p55s конфигурации в плазме послесвечения импульсного разряда в гелии с малой примесью неона (давление 38.1 мм рт. ст.;[He]/[Ne]=10^5 ). Установлено, что в фазе разряда и в начальной фазе послесвечения основным механизмом заселения уровня 3s2 (по Пашену) является передача возбуждения от метастабильных атомов гелия He(21S0). Остальные три уровня 3s3, 3s4, 3s5, соответствующие 2p55s конфигурации, заселяются в послесвечении в результате диссоциативной рекомбинации ионов HeNe+ с электронами. Этот же процесс является основным источником заселения уровня 3s2 в поздней фазе послесвечения, когда мала концентрация атомов He(21S0). Рекомбинационный механизм заселения в стадии распада плазмы подтвержден наблюдением реакции интенсивностей линий на импульсный нагрев электронов. Получены оценки парциальных коэффициентов диссоциативной рекомбинации, отвечающих образованию атомов неона конфигурации 2p55s.
Язык оригиналане определен
Страницы (с-по)750-758
ЖурналОПТИКА И СПЕКТРОСКОПИЯ
Том114
Номер выпуска5
СостояниеОпубликовано - 2013

Цитировать