Анализ механизмов эмиссии носителей в p-i-n-структурах с квантовыми точками In(Ga)As

Е.С. Шаталина, С.А. Блохин, А.М. Надточий, А.С. Паюсов, А.В. Савельев, М.В. Максимов, А.Е. Жуков, Н.Н. Леденцов, Ковш А.Р., С.С. Михрин, В.М. Устинов

Результат исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья

Язык оригиналане определен
Страницы (с-по)1352-1356
ЖурналФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Том44(10)
СостояниеОпубликовано - 2010
Опубликовано для внешнего пользованияДа

Цитировать

Шаталина, Е. С., Блохин, С. А., Надточий, А. М., Паюсов, А. С., Савельев, А. В., Максимов, М. В., ... Устинов, В. М. (2010). Анализ механизмов эмиссии носителей в p-i-n-структурах с квантовыми точками In(Ga)As. ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, 44(10), 1352-1356.
Шаталина, Е.С. ; Блохин, С.А. ; Надточий, А.М. ; Паюсов, А.С. ; Савельев, А.В. ; Максимов, М.В. ; Жуков, А.Е. ; Леденцов, Н.Н. ; А.Р., Ковш ; Михрин, С.С. ; Устинов, В.М. / Анализ механизмов эмиссии носителей в p-i-n-структурах с квантовыми точками In(Ga)As. В: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. 2010 ; Том 44(10). стр. 1352-1356.
@article{aa47785c0d2c46919966d36dbb2f1e71,
title = "Анализ механизмов эмиссии носителей в p-i-n-структурах с квантовыми точками In(Ga)As",
author = "Е.С. Шаталина and С.А. Блохин and А.М. Надточий and А.С. Паюсов and А.В. Савельев and М.В. Максимов and А.Е. Жуков and Н.Н. Леденцов and Ковш А.Р. and С.С. Михрин and В.М. Устинов",
year = "2010",
language = "не определен",
volume = "44(10)",
pages = "1352--1356",
journal = "ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ",
issn = "0015-3222",
publisher = "Издательство {"}Наука{"}",

}

Шаталина, ЕС, Блохин, СА, Надточий, АМ, Паюсов, АС, Савельев, АВ, Максимов, МВ, Жуков, АЕ, Леденцов, НН, А.Р., К, Михрин, СС & Устинов, ВМ 2010, 'Анализ механизмов эмиссии носителей в p-i-n-структурах с квантовыми точками In(Ga)As', ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, том. 44(10), стр. 1352-1356.

Анализ механизмов эмиссии носителей в p-i-n-структурах с квантовыми точками In(Ga)As. / Шаталина, Е.С.; Блохин, С.А.; Надточий, А.М.; Паюсов, А.С.; Савельев, А.В.; Максимов, М.В.; Жуков, А.Е.; Леденцов, Н.Н.; А.Р., Ковш; Михрин, С.С.; Устинов, В.М.

В: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, Том 44(10), 2010, стр. 1352-1356.

Результат исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья

TY - JOUR

T1 - Анализ механизмов эмиссии носителей в p-i-n-структурах с квантовыми точками In(Ga)As

AU - Шаталина, Е.С.

AU - Блохин, С.А.

AU - Надточий, А.М.

AU - Паюсов, А.С.

AU - Савельев, А.В.

AU - Максимов, М.В.

AU - Жуков, А.Е.

AU - Леденцов, Н.Н.

AU - А.Р., Ковш

AU - Михрин, С.С.

AU - Устинов, В.М.

PY - 2010

Y1 - 2010

M3 - статья

VL - 44(10)

SP - 1352

EP - 1356

JO - ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ

JF - ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ

SN - 0015-3222

ER -

Шаталина ЕС, Блохин СА, Надточий АМ, Паюсов АС, Савельев АВ, Максимов МВ и соавт. Анализ механизмов эмиссии носителей в p-i-n-структурах с квантовыми точками In(Ga)As. ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. 2010;44(10):1352-1356.